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静电流对耳机插座和人体的损害

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静电流对耳机插座和人体的损害

发布日期:2019-05-10 作者: 点击:

  静电流对耳机插座和人体的损害秒速飞艇

  耳机插座按其品种不同,受静电损坏的程度也不一样,最低的100V的静电压也会对其形成损坏。近年来随着电子元器材开展趋于集成化,因此要求相应的静电电压也在不断下降。

  人体所感应的静电电压一般在2-4KV以上,通常是由于人体的细微动作或与绝缘物的磨擦而引起的。也就是说,倘若咱们日常生活中所带的静电电位与IC触摸,那么简直一切的IC都将被损坏,这种危险存在于任何没有采取静电防护措施的工作环境中。静电对IC的损坏不只体现在电子元器材的制造工序当中,并且在IC的组装、运输等过程中都会对IC产生损坏。

  信号源耦合到被测电路上的信号起伏在匹配和非匹配状态下是不同的,耳机插座的输出起伏一般要么是空载输出的起伏,要么是匹配输出的起伏,这可通过仪器使用说明或通过实测来确认。如果被测电路的输入阻抗不是比信号源输出阻抗大得多,也不与信号源的输出阻抗相匹配,则不能够通过信号源的面板指示来确认耦合到被测电路上的信号起伏,而要通过实测确认。

  在相同类型的耳机插座中,工作频率越高,工作电流越大,开关时间越短,或者额外电源电压越高,则抗辐射才能越强。例如,用相同工艺和材料制造的微处理器电路,要求10V电源的电路比要求5V电源的电路抗辐射才能强,由于10V电源有3V的噪声容限,而5V电源只有1.5V的噪声容限。

  在不同类型的耳机插座中,半导体二极管的抗辐射才能优于晶体管三极管,结型场效应管的抗辐射才能优于双极晶体管,由分立器材构成的电路的抗电离辐射才能优于实现相同功用的单片集成电路,数字集成电路的抗中子辐射才能模拟集成电路。


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